Littelfuse presenta IX4352NE Controladores de puerta lateral bajo para MOSFETS SIC e IGBT de alta potencia

IXYS, un líder global en semiconductores de poder, ha lanzado un nuevo controlador innovador diseñado para alimentar mosfets de carburo de silicio (SIC) y transistores bipolares de puerta aislados (IGBT) de alta potencia en aplicaciones industriales. El innovador controlador IX4352NE está diseñado para proporcionar una sincronización personalizada de activación y apagado, minimizando efectivamente las pérdidas de conmutación y la mejora de la inmunidad DV/DT.

El conductor IX4352NE es un cambio de juego de la industria, que ofrece una variedad de ventajas para aplicaciones industriales. Es ideal para conducir MOSFETS SIC en una variedad de configuraciones, incluidos cargadores a bordo y fuera de bordo, corrección de factores de potencia (PFC), convertidores DC/DC, controladores de motor e inversores de potencia industrial. Esta versatilidad lo convierte en un activo valioso en una variedad de aplicaciones industriales donde la gestión de energía eficiente y confiable es crítica.

Una de las características clave del controlador IX4352NE es la capacidad de proporcionar una sincronización personalizada de activación y apagado. Esta característica permite un control preciso del proceso de conmutación, minimizando las pérdidas y aumentando la eficiencia general. Al optimizar el momento de las transiciones de conmutación, el controlador asegura que los semiconductores de potencia operen con un rendimiento óptimo, aumentando así la eficiencia energética y reduciendo la generación de calor.

Además del control de sincronización preciso, el controlador IX4352NE proporciona inmunidad DV/DT mejorada. Esta característica es especialmente importante en las aplicaciones de alta potencia, donde los cambios rápidos de voltaje pueden causar picos de voltaje y causar daños potenciales a los semiconductores. Al proporcionar una fuerte inmunidad de DV/DT, el conductor garantiza un funcionamiento confiable y seguro de MOSFETS SIC e IGBT en entornos industriales, incluso frente a transitorios de voltaje desafiantes.

La introducción del controlador IX4352NE representa un avance significativo en la tecnología de semiconductores de potencia. Su tiempo de activación y apagado personalizado combinado con inmunidad DV/DT mejorada lo hace ideal para aplicaciones industriales donde la eficiencia, la confiabilidad y el rendimiento son críticos. El controlador IX4352NE es capaz de impulsar MOSFET SIC en una variedad de entornos industriales y se espera que tenga un impacto duradero en la industria de la electrónica de energía.

Además, la compatibilidad del conductor con una variedad de aplicaciones industriales, incluidos los cargadores a bordo y fuera de borda, la corrección del factor de potencia, los convertidores DC/DC, los controladores de motor e inversores de energía industrial, resalta su versatilidad y amplio potencial de adopción. A medida que las industrias continúan exigiendo soluciones de gestión de energía más eficientes y confiables, el controlador IX4352NE está bien posicionado para satisfacer estas necesidades cambiantes e impulsar la innovación en la electrónica de energía industrial.

En resumen, el controlador IX4352NE de IXYS representa un gran salto hacia adelante en la tecnología de semiconductores de poder. Su tiempo de activación y apagado personalizado y su inmunidad DV/DT mejorada lo hacen ideal para impulsar MOSFET e IGBTS en una variedad de aplicaciones industriales. Con el potencial de mejorar la eficiencia, la confiabilidad y el rendimiento de la gestión de energía industrial, se espera que el controlador IX4352NE desempeñe un papel clave en la configuración del futuro de la electrónica de energía.